| 发明名称 | 具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括将氮添加到二氧化硅层以在衬底上形成氮化二氧化硅层。在氮化二氧化硅层上形成牺牲层后，去除牺牲层以形成沟槽。在沟槽内的氮化二氧化硅层上形成高k栅介电层，且在高k栅介电层上形成金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101099241A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200580046271.X | 申请日期 | 2005.12.07 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·布拉斯克;S·裴;J·卡瓦利罗斯;M·梅茨;M·多齐;S·达塔;R·乔;J·麦滋 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/51(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成二氧化硅层；将氮添加到所述二氧化硅层以形成氮化二氧化硅层；在所述氮化二氧化硅层上形成牺牲层；去除所述牺牲层以形成沟槽；在所述氮化二氧化硅层上以及所述沟槽内形成高k栅介电层；以及在所述高k栅介电层上形成金属栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||