发明名称 |
半导体部件以及半导体部件的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体部件以及半导体部件的制造方法。半导体部件包括半导体本体,其中形成:第一导电类型的衬底、布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层和布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层,在所述功能单元半导体层中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元。所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分,所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘。所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触,所述与衬底的接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。 |
申请公布号 |
CN101097919A |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN200710127113.8 |
申请日期 |
2007.06.28 |
申请人 |
英飞凌科技股份公司 |
发明人 |
A·梅瑟;W·哈特纳;H·格鲁伯;D·博纳特;T·格罗斯 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;魏军 |
主权项 |
1.一种具有半导体本体的半导体部件,包括:第一导电类型的衬底;布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层;以及布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层,其中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元;其中所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分,并且所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘;并且其中所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触,所述与衬底的导电接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。 |
地址 |
德国新比贝格 |