发明名称 |
4H-SiC雪崩光电探测器 |
摘要 |
4H-SiC雪崩光电探测器,涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益,对可见光与红外光不敏感,可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器。设有n<SUP>+</SUP>型4H-SiC衬底,衬底上从下到上生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p<SUP>+</SUP>外延层,吸收层为非故意掺杂的本征层或掺杂浓度1×10<SUP>15</SUP>/cm<SUP>3</SUP>~1×10<SUP>16</SUP>/cm<SUP>3</SUP>的轻掺杂层;倍增层掺杂浓度1×10<SUP>16</SUP>/cm<SUP>3</SUP>~1×10<SUP>18</SUP>/cm<SUP>3</SUP>,厚度为0.05~0.5μm;p<SUP>+</SUP>外延层掺杂浓度至少为1×10<SUP>18</SUP>/cm<SUP>3</SUP>,厚度为0.1~0.5μm。器件表面为钝化膜,在p<SUP>+</SUP>外延层上设p电极,p电极上设焊盘,衬底背面设n电极。 |
申请公布号 |
CN201000897Y |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN200620156550.3 |
申请日期 |
2006.12.20 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
吴正云;朱会丽;陈厦平 |
分类号 |
H01L31/107(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/107(2006.01) |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
1.4H-SiC雪崩光电探测器,其特征在于设有n+型4H-SiC衬底,在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层,n型外延吸收层可以为非故意掺杂的本征层或者掺杂浓度范围在1×1015/cm3~1×1016/cm3的轻掺杂层,其厚度为0.5~2μm;n型外延倍增层的掺杂浓度范围在1×1016/cm3~1×1018/cm3,其厚度为0.05~0.5μm;p+外延层其掺杂浓度至少为1×1018/cm3,其厚度为0.1~0.5μm,器件的表面通过热氧化生成一层氧化硅的钝化膜,在p+外延层上设有p型电极,在p型电极上磁控溅射Ti/Au作为焊盘接触金属,在衬底的背面设有n型电极。 |
地址 |
361005福建省厦门市思明南路422号 |