膜上芯片用铜箔

摘要

为提供一种具有高蚀刻率、电路图形底线的直线性优异且在树脂中不残留形成电路图形的铜箔的铜粒子而制成微图形、焊接球的形成不引起铜箔和树脂基板粘着力降低的、目视性好的在微图形上搭载IC方便的铜箔，本发明的膜上芯片用铜箔具有在和树脂基板粘附的铜箔的粘附面上设置由钴含量、镍含量分别等于或多于铜含量的铜-钴-镍合金构成的合金微细粗化粒子层的特征。具体地说，在和树脂基板粘附的铜箔的粘附面上可设置5～12mg/dm²的铜、6～13mg/dm²的钴、5～12mg/dm²的镍构成的合金微细粗化粒子层，较好对上述合金微细粗化粒子层上进行防锈处理。另外，对上述的合金微细粗化粒子层上最好进行硅烷偶合剂的处理。

主权项

1.膜上芯片用铜箔，其特征在于，铜箔的至少一面上设置由铜-钴-镍合金构成的合金微细粗化粒子层，钴的含量、镍的含量分别等于或多于铜的含量。