发明名称 |
制造电容器之方法 |
摘要 |
一种用于制造电容器的方法,其包含具有一基材(210)的一原始结构,以及至少一介电层(224、226),其中该基材的一第一区域与一第二区域系藉由一隔离层(212、214、216)而分开。在该第一与第二区域上,一电性传导层(228)系配置于该至少一介电层(224、226)上。再者,一罩幕层(230)系沉积于该电传导层上,其中该第一区域上的一罩幕层系被建构用于产生一第一罩幕(230)。该方法更包含藉由该第一罩幕,以蚀去该电性传导层(230)与该第二区域中的至少一介电层(226),以及完成该第二区域中的主动组件。 |
申请公布号 |
CN100359637C |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN03802059.9 |
申请日期 |
2003.01.10 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
C·达赫尔;K·斯塔伦伯格;C·维伯茨 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L27/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
蔡民军 |
主权项 |
1.一种用于制造电容器的方法,其包含;提供一原始结构,其具有一掺杂的基材(210)与至少一介电层(224、226),其中该基材(210)的一第一区域与一第二区域是由一电性隔离结构所分开,该第一区域是配置于该隔离结构的第一(212)与第二(214)隔离区域之间,该第一区域中该掺杂的基材(210)代表该电容器的一第一电容器电极;使用一电性传导层(228)于该第一与第二区域上的该至少一介电层(224、226)之上;使用一罩幕层于该电性传导层(228)上,且将其图案化用以形成一罩幕(230)于该第一区域上;通过罩幕,蚀刻去除该电性传导层(228)与该第二区域中的该至少一介电层(226)之至少其一,因此该电性传导层(228)与该至少一介电层(226)被移除于该第一区域外,由此,在该第一区域中,自该传导层(228)形成一第二电容器电极,以及自该介电层形成一图案化的电容器介电层;在该第一区域与该第二区域中形成一氧化物层(232),其中在该第一区域中,该氧化物层(232)是形成在该第二电容器电极的侧表面上;以及完成该第二区域中的一主动组件,其中在该第二区域中,该氧化物层(232)形成一栅极氧化物层。 |
地址 |
德国慕尼黑 |