| 发明名称 | RF功率放大器 | ||
| 摘要 | 一种RF功率放大器，包括作为并联连接在输入端(RF_In)与输出端(RF_Out)之间的末级功率放大器件的第一和第二放大器(Q1)和(Q2)。在一个半导体芯片上形成放大器(Q1)和(Q2)。将放大器(Q1)的第一偏置电压(Vg1)设定为高于放大器(Q2)的第二偏置电压(Vg2)，以使得放大器(Q1)可工作于B类和AB类之间，(Q2)可工作于C类。放大器(Q1)的第一有效器件尺寸(Wgq1)有意地设定为小于超过半导体芯片的制造误差范围的、放大器(Q2)的第二有效器件尺寸(Wgq2)。能够实现一种RF功率放大器，不管输出功率是高还是低，都呈现出高功率附加效率特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101098127A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710138815.6 | 申请日期 | 2007.06.19 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 藤岡彻;清水敏彦;大西正己;松本秀俊;田中聪 |
| 分类号 | H03F3/20(2006.01);H03F3/24(2006.01);H03F1/02(2006.01);H03F1/07(2006.01);H04B1/04(2006.01) | 主分类号 | H03F3/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 曲瑞 |
| 主权项 | 1、一种RF功率放大器，包括：第一放大器件；及第二放大器件，其中在公共的半导体芯片上形成第一和第二放大器件，作为并联连接在输入端和输出端之间的末级功率放大器件，第一放大器件的输入端的第一偏置电压被设定为高于第二放大器件的输入端的第二偏置电压，以使得第一放大器件可工作于具有π(180°)的导通角的B类和具有π(180°)到2π(360°)的导通角的AB类之间的任一工作类，并且第二放大器件可工作于具有低于π(180°)的导通角的C类，并且将第一放大器件的第一有效器件尺寸有意地设定为小于第二放大器件的第二有效器件尺寸，小的程度超过半导体芯片的制造误差范围。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||