| 发明名称 | 具有栅叠层的半导体结构和制造这种半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。 | ||
| 申请公布号 | CN101097949A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710126817.3 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | R·杰米;S·扎法;V·K·帕鲁丘里;张立伦;韩金平;M·M·弗兰克;E·古谢夫;K·K·陈;D·A·布坎南;E·A·卡蒂尔;C·P·德埃米克 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/51(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：至少一个栅叠层，布置在半导体衬底上，所述栅叠层自底到顶包括栅电介质和栅电极，其中所述栅电介质包含固定空间分布的电荷密度，其使所述栅叠层的阈电压和平带电压稳定在目标值。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||