| 发明名称 | 制造半导体存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体存储器件的方法，其包括：在衬底结构之上形成包括接触塞的绝缘层；在绝缘层之上形成金属线结构，所述金属线结构包括图案化的扩散阻挡层和金属线，并与接触塞接触；以及对所述金属线的表面进行氧化，以在所述金属线之上形成钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101097885A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200610156440.1 | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 韩景埴;金永俊 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1、一种用于制造半导体存储器件的方法，包括：在衬底结构之上形成包括接触塞的绝缘层；在所述绝缘层之上形成金属线结构，所述金属线结构包括图案化的扩散阻挡层和金属线并与所述接触塞接触；以及对所述金属线的表面进行氧化，以在所述金属线之上形成钝化层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||