| 发明名称 | CMOS栅的原子层沉积 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于晶体管的结构、系统和方法，所述晶体管具有通过原子层沉积形成的并具有可变功函的栅极。一个晶体管的实施方案包括第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；位于它们之间的通道区域。栅极通过栅极绝缘体与所述通道区域分开。所述栅极包括通过原子层沉积形成的三元金属导体，以为所述三元金属导体提供被设计用于提供期望阈值电压的组成。 | ||
| 申请公布号 | CN100359640C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN03824408.X | 申请日期 | 2003.08.21 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | L·福尔贝斯;K·Y·阿恩 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；位于所述第一和第二源极/漏极区域之间的通道区域；通过栅极绝缘体与所述通道区域分开的栅极，其中所述栅极包括通过原子层沉积形成的三元金属导体，所述三元金属导体包括选自钽铝氮化物(TaAlN)和钨铝氮化物(WAlN)的至少一种导体。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||