| 发明名称 | 存储单元构件及生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储单元阵列的存储单元构件，该阵列至少有一个铁磁体存储部件层(11)，铁磁体存储部件层(11)分别与第一连接线(10)连接，第一连接线(10)布设于第一介质层(6)中，并且(11)分别与第二连接线(20，29，35)连接，第二连接线(20，29，35)布于第二介质层(17，27，32)中。 | ||
| 申请公布号 | CN100359597C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN01815044.6 | 申请日期 | 2001.08.28 |
| 申请人 | 印芬龙科技股份有限公司 | 发明人 | 斯特凡·米塔纳;西格弗里德·施瓦茨尔;安妮特·森格尔 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/02(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种存储单元构件，包括：存储单元阵列，该阵列至少有一个磁阻存储部件层(11)和至少两个铁磁体层；每个铁磁体层均与第一连接线(10)连接，第一连接线(10)由铜制成并布设在第一介质层(6)中；每个铁磁体层均与第二连接线(20，29，35)连接，第二连接线用铜制成并布设在第二介质层(17，27，32)中；其特征在于，包裹存储部件(11)的氮化硅的扩散阻挡层(15，22，7，31)位于第一连接线(10)和第二介质层(17，27，32)之间；扩散阻挡层(15，22，7，31)阻止铜从第一连接线(10)向第二介质层(17，27，32)和磁阻存储部件(11)扩散；扩散阻挡层(15，22，7，31)阻止磁阻存储部件(11)的铁磁体层(11b，11d)与第一连接线(10)之间的相互扩散，以将存储漂移降至最低。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||