| 发明名称 | 平坦化半导体器件和钝化层的方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的方法的实施例在半导体器件与部分周围钝化材料之间提供平坦化的表面。该方法包括在钝化层蚀刻工艺之后使用将平坦化表面限定为硬掩模与钝化层和器件两者之间的界面的硬掩模。最终的平坦化表面具有小至零的阶跃高度，其对钝化层不均匀性和蚀刻不均匀性不敏感，提供器件侧壁的完整钝化，保护器件不受蚀刻引起的损害，和防止钝化层空隙的有害影响。该方法可用于电子和光子系统的半导体器件制造，诸如，但不受限于，蜂窝电话、网络系统、高亮度(HB)发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和多结太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN100359650C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200380100110.5 | 申请日期 | 2003.12.18 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | P·弗里斯;J·汉伯格 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/56(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：形成设置在一部分器件层上并覆盖该部分器件层的硬掩模，留下至少另一部分器件层未被硬掩模覆盖；去除未被覆盖的该部分器件层，以便限定基本上与硬掩模的侧壁共面的器件层侧壁；用钝化层覆盖该器件层侧壁和至少一部分硬掩模，该钝化层具有顶表面；降低钝化层的顶表面以便暴露至少一部分硬掩模；以及去除硬掩模以便在降低的钝化层顶表面和器件层的顶表面之间形成台阶。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||