| 发明名称 | 闪速存储器件的栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成闪速存储器件的栅极的方法，包括的步骤有：在半导体衬底上形成栅极以及在所述栅极的整个表面上形成氧化物层，在所述氧化物层的侧壁上以间隔体的形式形成氮化物层，执行抛光工艺，以暴露所述栅极的顶面，之后去除所述氮化物层以形成开口，在所述开口的侧壁上形成阻挡金属层，以及在所述开口内形成钨层。 | ||
| 申请公布号 | CN101097859A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710007731.9 | 申请日期 | 2007.01.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑哲谟;赵挥元;金正根;明成桓 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种形成闪速存储器件的栅极的方法，所述方法包括的步骤有：在半导体衬底上形成栅极；在所述栅极的整个表面上形成具有侧壁的氧化物层；在所述氧化物层的侧壁上以间隔体的形式形成氮化物层；执行抛光工艺，以暴露所述栅极的顶面；剥离所述氮化物层，以形成具有侧壁的开口；在所述开口的侧壁上形成阻挡金属层；以及在所述开口内形成钨层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||