| 发明名称 | 磁性记录元件和磁性存储器 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个示例的磁性记录元件包括：磁性自由层(11)，该层的磁化随着流过薄膜的电流方向是可变的，并且该层的磁化的易磁化轴的方向与薄膜平面垂直；磁性被钉扎层(12)，该层的磁化被固定在与薄膜平面垂直的方向上；以及磁性自由层(11)和磁性被钉扎层(12)之间的非磁性阻挡层(13)。在磁性自由层(11)中，饱和磁化强度Ms(emu/cc)和各向异性磁场Han(Oe)之间的关系满足Han＞12.57Ms，以及Han＜1.2E7Ms<SUP>-1</SUP>+12.57Ms。 | ||
| 申请公布号 | CN101097987A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710137982.9 | 申请日期 | 2007.03.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中村志保;森濑博史 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01);G11C11/16(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1、一种磁性记录元件，其特征在于包括：磁性自由层，该层的磁化根据通过其中的电流的方向是可变的，并且该层的磁化的易磁化轴的方向与薄膜平面垂直；磁性被钉扎层，该层的磁化被固定在与所述薄膜平面垂直的方向上；和所述磁性自由层和所述磁性被钉扎层之间的非磁性阻挡层，其中所述磁性自由层具有饱和磁化强度Ms(emu/cc)和各向异性磁场Han(Oe)之间的关系满足Han＞12.57Ms，以及Han＜1.2E7Ms-1+12.57Ms的特性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||