| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非易失性半导体存储器件。根据本发明的非易失性半导体存储器件设有多个场效应晶体管型的存储单元、源极偏置控制电路和漏极偏置控制电路。在写操作的时候，该源极偏置控制电路可变地设置源极线的电位，该源极线共同地连接到多个存储单元的源极。在写操作的时候，漏极偏置控制电路可根据源极线的电位，可变地设置多个存储单元的漏极的电位。 | ||
| 申请公布号 | CN101097779A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710109029.3 | 申请日期 | 2007.06.12 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 菅原宽 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01);G11C16/30(2006.01);G11C16/34(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器件包括：多个存储单元晶体管；源极偏置控制电路，可被操作为在写操作过程中改变共同地连接到所述各存储单元晶体管的源极线的电位；以及漏极偏置控制电路，可被操作为在所述写操作过程中，根据所述源极线的电位，改变所述各存储单元晶体管的漏极电位。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||