| 发明名称 | LDMOS晶体管 | ||
| 摘要 | 一种LDMOS半导体晶体管结构，包括：具有第一导电类型的外延层(150)的基板(160)；从该外延层表面延伸的第二导电类型的源极区域(114)；在该外延层内的第二导电类型的轻掺杂漏极区域(136)；正好位于该源极和漏极区域之间的沟道(118)；以及布置在该沟道上方的在绝缘层内的栅极(120)，其中该轻掺杂漏极区域包括第一导电类型的袋区(138)，其中该袋区(138)从该外延层的表面延伸到该外延层内，覆盖毗邻该栅极的轻掺杂漏极区域的端部。 | ||
| 申请公布号 | CN101099242A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200680001849.4 | 申请日期 | 2006.01.05 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | G·马 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/08(2006.01);H01L29/36(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/41(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;魏军 |
| 主权项 | 1.一种LDMOS半导体晶体管结构，包括：具有第一导电类型的外延层的基板；第二导电类型的从所述外延层表面延伸的源极区域；第二导电类型的在所述外延层内的轻掺杂漏极区域；位于所述源极和漏极区域之间的沟道；以及布置在所述沟道上方的在绝缘层内的栅极，其中提供第一导电类型的注入区域，其从所述外延层的表面延伸到所述外延层内，与毗邻所述栅极的所述轻掺杂漏极区域的端部交叠并在所述沟道的一部分内延伸。 | ||
| 地址 | 德国新比贝格 | ||