| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体存储器件，其中，在一对电极之间夹着包含有机化合物的层，并且在所述一对电极之间夹着包含第一金属氧化物的第一层和包含第二金属氧化物的第二层。包含所述金属氧化物的所述两个层中的一个用作p型半导体层，而另一个用作n型半导体层。包含所述第一金属氧化物的所述第一层和包含所述第二金属氧化物的所述第二层构成PN结，以对所述半导体存储器件供应整流特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101097935A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710127086.4 | 申请日期 | 2007.06.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 野村亮二;徳永肇;加藤清 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L27/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的位线；在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的字线；设置在所述位线和所述字线交叉的部分的存储单元；以及设置在所述存储单元中的存储元件，其中，所述存储元件具有整流特性，并且至少包括包含有机化合物的层和包含第一金属氧化物的第一层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||