降低场效应管中漏极延迟和栅极延迟的体触点结构和方法

摘要

一种场效应管，形成于衬底上，并包括衬底上方形成的半导体沟道区域和沟道区域上形成的金属源极区域。金属漏极区域形成于沟道区域上，金属栅极区域在沟道区域上形成于源极区域与漏极区域之间。第一金属体触点区域形成为与漏极区域相邻并穿过沟道区域延伸到接触衬底。该场效应管还可以包括第二金属体触点区域，第二金属体触点区域形成为与源极区域相邻并穿过沟道区域延伸到接触衬底。

主权项

1.一种形成于衬底上的场效应管，所述场效应管包括：半导体沟道区域，形成于所述衬底上；金属源极区域，形成于所述沟道区域上；金属漏极区域，形成于所述沟道区域上；金属栅极区域，在所述沟道区域上形成于所述源极区域与所述漏极区域之间；以及第一金属体触点区域，形成为与所述漏极区域相邻并穿过所述沟道区域延伸到与所述衬底接触。