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发明名称
用于研磨半导体晶圆之研磨头
摘要
一种研磨头以及处理及研磨半导体晶圆的方法,系使用一基底结构以及至少一凹入区和顺从于至少一凹入区的一外侧可挠式薄膜以形成至少一下沉部,藉以在吸力被施加于该至少一下沉部时将一半导体晶圆保持在该外侧可挠式薄膜上。
申请公布号
TW200800488
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW096107153
申请日期
2007.03.02
申请人
伊诺普拉股份有限公司
发明人
大卫E 伯克史瑟;杰瑞J 伯克史瑟;朴镇吴;丁寅权
分类号
B24B37/00(2006.01)
主分类号
B24B37/00(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
美国
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