矽晶圆表面层之去除方法

摘要

本发明提供一种不使用液剂且不需要机械研磨作业及处理后之洗涤而可藉乾制程去除矽晶圆表面层，且即使多次再生、去除处理，仍可重复使用矽基材，可谋求有效使用矽基材之矽晶圆表面层之去除方法。例如，在真空容器2内配置阴极板3，在该阴极板3上载置附着200nm厚之ＳｉＮ膜之表面层1ａ之矽晶圆1，在真空容器2内以4.7ＣＣＭ导入ＣＦ4气，保持3mtorr，于磁通密度300高斯下利用ＲＦ电源5b施加输出200Ｗ，蚀刻10分钟。