发明名称 具有焊料凸块之半导体晶片及其制造方法
摘要 在此提供具焊料凸块之半导体晶片及制造方法。知当经由焊料凸块施行半导体封装时,焊料凸块会因温度改变而自接合位置分离或于接合位置发生裂化。为解决此一缺点,半导体晶片包含至少一凸块下金属(under bump metal)层系形成于半导体晶片的电极垫上;促黏层(adhesion enhance layer)系形成于凸块下金属层上且具至少一凹凸部份形成于其上表面上;以及焊料凸块系形成于促黏层上。由此,介于凸块下金属层与焊料凸块间的黏着力随之增加,且半导体晶片的稳定性亦可得到改善。另外,预防焊料凸块内的鍚因促黏层扩散亦为可能。
申请公布号 TW200802646 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW095140816 申请日期 2006.11.03
申请人 奈培斯股份有限公司 发明人 崔荣
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 韩国