| 主权项 |
1.一种表面声波元件,包含: 一基板,系由选自包含半导体材料、结晶体石英、 玻璃、陶质及树脂之族群的材料所形成; 一压电层,安排于该基板之上且主要地由一压电材 料所形成; 一中间层,配置于该压电层与该基板之间,用以设 定该压电层中所激励之表面声波的特性,该中间层 系由含有至少一选择自包含钻石、矽、氮化矽、 玻璃、结晶体石英、钽酸锂及铌酸钾之族群的材 料当作其主要成分之材料所形成; 一指间转换器,安排于该压电层之上,用以转换一 电性信号为一表面声波及/或用以转换一表面声波 为一电性信号,且该指间转换器包含复数个电极手 指,以一指定之间隔并列;以及 一反射器,安排毗邻于该压电层之上的该指间转换 器,该第一反射器包含复数个反射体,以一指定之 间隔并列,其中使该反射器之反射体的节距小于该 指间转换器之电极手指的节距; 其中该基板的平均厚度系在0.1至0.8mm的范围中。 2.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中当该 指间转换器之电极手指的节距及该反射器之反射 体的节距分别界定为Pt[m]及Pr[m]时,比率Pr/Pt系 在0.7至0.9995的范围中。 3.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中该压 电层之厚度等于或小于将激励于该压电层中之表 面声波波长的两倍。 4.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中该压 电层系由含有至少一选择自包含氧化锌、氮化铝 、钽酸锂、铌酸锂及铌酸钾之族群的材料当作其 主要成分之材料所形成。 5.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中该指 间转换器与反射器之间的分开距离系在压电层中 所激励之表面声波波长之0.05至0.4倍的范围中,或 此値与整数倍之波长的加和。 6.如申请专利范围第1项之表面声波元件,进一步包 含一第二反射器,其中该反射器及第二反射器安排 于该压电层上之该指间转换器的两侧上。 7.如申请专利范围第6项之表面声波元件,其中该第 二反射器之组态实质地相同于该反射器之组态。 8.一种电子设备,配置有如申请专利范围第1至3项 和第4至7项中任一项之表面声波元件。 9.如申请专利范围第2项之表面声波元件,其中比率 Pr/Pt系在0.8至0.9985的范围中。 10.如申请专利范围第1项之表面声波元件,进一步 包含形成于该指间转换器和该反射器之间的一保 护层,该保护层系由氧化矽所形成。 图式简单说明: 第1图系平面视图,显示根据本发明之表面声波元 件的第一实施例; 第2图系第1图中所示之表面声波元件的剖视图; 第3图系图形,显示在IDT与反射器之膜厚度间于IDT 与反射器处之表面声波频率间的关系; 第4图系图形,显示具有单层组态之压电基板的表 面声波元件之IDT及反射器处之表面声波频率与IDT 及反射器之膜厚度间的关系; 第5图系平面视图,显示根据本发明之表面声波元 件的第二实施例; 第6图系第5图中所示之表面声波元件的剖视图; 第7图系配置有本发明之表面声波元件的电子设备 (笔记型个人电脑); 第8图系配置有本发明之表面声波元件的电子设备 (行动电话); 第9图系配置有本发明之表面声波元件的电子设备 (数位相机); 第10图系图形,显示实例1及比较实例1中各所制造 之表面声波元件的阻抗特性;以及 第11图系图形,显示实例2及比较实例2中各所制造 之表面声波元件的插入损耗(能量损耗)。 |
