| 主权项 |
1.一种高功率发光二极体结构,尤指可提升亮度且 降低温度之高功率发光二极体,其系包括基板、外 框等所组成,其中: 该基板底部设有导热板,且导热板上表面布设有复 数之绝缘膜,又设有凸露于绝缘膜表面之复数电接 点,并于中央之电接点内设有至少一个以上之磊晶 片,再于磊晶片周围设有复数之注入孔;该外框为 射出成型包覆于磊晶片周围,另于外框底部朝基板 之注入孔内射出成型有卡固部呈结合状态。 2.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该导热板可为铜金属镀银材质所制成。 3.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该绝缘膜可为环氧树脂(Epoxy)材质所制成。 4.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该绝缘膜上设有复数之电路及电接点,再于 电路上方设有另一绝缘膜,使电接点凸露于绝缘膜 表面。 5.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该基板中央之电接点内设有导热区,且导热 区上设有至少一个以上之磊晶片,并于磊晶片两侧 设有可分别与电接点形成电性连接之导线。 6.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该外框系为液晶聚合物(LCP)或其他绝缘材质 射出成型为矩形或其他形状之块体。 7.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该外框中央设有可围绕磊晶片且向下呈渐缩 弧状之中空部,并于弧状中空部侧壁设有可集中磊 晶片所发射光源之反射面,且中空部内设有矽胶( Silicon)材质所制成且可包覆磊晶片形成定位之封 装胶体。 8.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该复数卡固部为成形于外框底面各角落。 9.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该外框顶面可进一步设有可透光材质所制成 之透光罩。 10.如申请专利范围第9项所述之高功率发光二极体 结构,该外框于两相对侧分别设有卡孔,而透光罩 底部两相对侧设有可与卡孔相对应卡合、定位之 扣合片。 11.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构,该基板下方可进一步设有散热座。 12.如申请专利范围第11项所述之高功率发光二极 体结构,该散热座为铝材质所制成,且其底部朝下 延设有复数之长条状散热体。 13.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体 结构该基板之注入孔可为倒T状或朝下渐扩之喇叭 状,而外框底部之卡固部形状则与注入孔呈相对应 ,且注入孔可供磊晶片进行导热。 图式简单说明: 第一图 系为本创作之立体外观图。 第二图 系为本创作之立体分解图。 第三图 系为本创作之侧视剖面图。 第四图 系为本创作较佳实施例之侧视剖面图。 第五图 系为习用之立体分解图。 第六图 系为习用之侧视剖面图。 |
