| 主权项 |
1.一种主动式有机发光二极体之画素结构,设置于 一透明基板上,其包括: 一有机发光二极体; 一资料配线; 至少一扫描配线; 至少一开关薄膜电晶体,具有一第一闸极、一第一 源极、一第一汲极,其中该第一闸极系耦接至该扫 瞄配线,而该第一源极系耦接至该资料配线; 至少一驱动薄膜电晶体,具有一第二闸极、一第二 源极、一第二汲极,其中该第二闸极系耦接至该第 一汲极,而该第二汲极系耦接至该有机发光二极体 ;以及 至少一储存电容器,具有一第一透明电极、一第二 透明电极与一介电层,其中该第一透明电极与该第 一汲极及该第二闸极电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该第一透明电极为一透明半 导体层,而该第二透明电极为一透明金属层。 3.如申请专利范围第2项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该透明金属之材质包括铟锡 氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。 4.如申请专利范围第2项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该透明半导体之材质包括不 具有掺杂、掺杂一价元素或掺杂镍的ZnO、MgxZn1-xO 以及CdxZn1-xO,或是不具有掺杂、掺杂一价元素或掺 杂镍的ZnO、MgxZn1-xO以及CdO,或是InGaZnO。 5.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该储存电容器的面积为该画 素面积的50%-95%。 6.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体之该第一 闸极是由不透明金属层所构成,或是由透明金属层 与不透明金属层构成,其中该不透明金属层之阻値 低于该透明金属层。 7.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体之该第二 闸极是由不透明金属层所构成,或是由透明金属层 与不透明金属层构成,其中该不透明金属层之阻値 低于该透明金属层。 8.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体之该第一 源极及该第一汲极系形成于一通道层中,该通道层 之材质为不透明的掺杂半导体或是透明的掺杂半 导体。 9.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体之该第二 源极及该第二汲极系形成于一通道层中,该通道层 之材质为不透明的掺杂半导体或是透明的掺杂半 导体。 10.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该有机发光二极体之一有机 发光层是使用白色之有机发光材料来制作,且该主 动式有机发光二极体之画素结构更包括一彩色滤 光片,其设置于该透明基板与该有机发光二极体之 间。 11.如申请专利范围第10项所述之主动式有机发光 二极体之画素结构,更包括一透明盖板与另一彩色 滤光片,该透明盖板覆盖于有机发光二极体上,且 该另一彩色滤光片介于该有机发光二极体与该透 明盖板之间。 12.一种主动式有机发光二极体画素结构之储存电 容器,其具有一第一透明电极、一第二透明电极与 一介电层,其中该第一透明电极与该画素的一开关 薄膜电晶体的一汲极以及该画素之一驱动薄膜电 晶体的一闸极电性连接。 13.如申请专利范围第12项所述之主动式有机发光 二极体画素结构之储存电容器,其中该第一透明电 极为一透明半导体层,而该第二透明电极为一透明 金属层。 14.如申请专利范围第13项所述之主动式有机发光 二极体画素结构之储存电容器,其中该透明金属之 材质包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。 15.如申请专利范围第13项所述之主动式有机发光 二极体画素结构之储存电容器,其中该透明半导体 之材质包括不具有掺杂、掺杂一价元素或掺杂镍 的ZnO、MgxZn1-xO以及CdxZn1-xO,或是不具有掺杂、掺杂 一价元素或掺杂镍的ZnO、MgxZn1-xO以及CdO,或是 InGaZnO。 16.如申请专利范围第12项所述之主动式有机发光 二极体画素结构之储存电容器,其中该储存电容器 的面积为该画素面积的50%-95%。 17.一种主动式有机发光二极体之画素的制造方法, 其包括: 在一基板上形成一图案化的透明半导体层,以形成 至少一开关薄膜电晶体之第一通道层、至少一储 存电容器之下电极以及至少一驱动薄膜电晶体之 第二通道层,其中该储存电容器之下电极之面积为 该画素面积的50%-95%; 在该基板上方形成一第一介电层,以做为该开关薄 膜电晶体之第一闸介电层、该储存电容器之介电 层以及该驱动薄膜电晶体之一第二闸介电层; 在该第一介电层上形成该开关薄膜电晶体之第一 不透明金属闸极、该驱动薄膜电晶体之第二不透 明金属闸极以及至少一扫描线; 于该第一通道层中形成该开关薄膜电晶体之第一 源极与第一汲极并在该第二通道层中形成该驱动 薄膜电晶体之第二源极与第二汲极; 在该第一介电层上形成一图案化的透明的金属层, 以形成该储存电容器之上电极,该储存电容器之上 电极之面积为该画素面积的50%-95%; 在该基板上方形成一资料线,其与该开关薄膜电晶 体之该第一源极电性连接;以及 在该基板上方形成一与该驱动薄膜电晶体之该第 二汲极电性连接之有机发光二极体。 18.如申请专利范围第17项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,其中该透明半导体之材 质包括不具有掺杂、掺杂一价元素或掺杂镍的ZnO 、MgxZn1-xO以及CdxZn1-xO,或是不具有掺杂、掺杂一价 元素或掺杂镍的ZnO、MgxZn1-xO以及CdO,或是InGaZnO。 19.如申请专利范围第17项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,其中该透明金属之材质 包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。 20.如申请专利范围第17项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,其中在该第一介电层上 形成该图案化的透明的金属层之步骤,系形成该储 存电容器之上电极并且形成该开关薄膜电晶体之 一第一透明金属闸极以及该驱动薄膜电晶体之一 第二透明金属闸极。 21.如申请专利范围第20项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,其中在该第一介电层上 形成该图案化的透明的金属层之步骤,系在进行该 第一介电层上形成该开关薄膜电晶体之该第一不 透明金属闸极、该驱动薄膜电晶体之该第二不透 明金属闸极以及该扫描线之步骤之前施行。 22.如申请专利范围第20项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,其中在该第一介电层上 形成该图案化的透明的金属层之步骤,系在进行该 第一介电层上形成该开关薄膜电晶体之第一不透 明金属闸极、该驱动薄膜电晶体之第二不透明金 属闸极以及该扫描线之步骤之后施行。 23.如申请专利范围第17项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,其中该有机发光二极体 之一有机发光层是使用白色之有机发光材料来制 作,且其步骤更包括在形成该资料线及该有机发光 二极体之前,且在形成该储存电容器之上电极之后 ,在该基板上方形成一彩色滤光片。 24.如申请专利范围第23项所述之主动式有机发光 二极体之画素的制造方法,更包括在形成该有机发 光二极体之步骤后,在该有机发光二极体上覆盖另 一彩色滤光片。 图式简单说明: 图1A系绘示一种主动式有机发光二极体之画素结 构的电路图。 图1B系绘示本发明之主动式有机发光二极体之画 素结构的上视图。 图2A至图2E系绘示本发明一种主动式有机发光二极 体之画素结构的剖面示意图。 图3A至图3E系绘示本发明图2A至图2E之主动式有机 发光二极体之画素结构的上视图。 |
