发明名称 提升有机发光二极体发光效率之元件结构
摘要 本发明系为一种提升有机发光二极体发光效率之元件结构,系由一有机发光元件之基板、成长阳极板、主缓冲层、电洞迁移率抑制层、主发光层、电洞阻挡层、电子传输层、电子注入层、金属电极,所组合而成;其特征在于:提升有机发光二极体发光效率之元件结构设置有电洞迁移率抑制层,其主要将由成长阳极板所射出之电洞速度减慢及减少到达主发光层之数目,藉由电洞迁移率抑制层,并可将较快之电洞加以区隔、分散于电洞迁移率抑制层内之每一次发光层,进而使电洞与电子数目在主发光层与次发光层中更加相互匹配,以提高发光效率者。
申请公布号 TWI292280 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW092137567 申请日期 2003.12.31
申请人 苏水祥 发明人 苏永祥;横山明聪;周建宏
分类号 H05B33/00(200601120200601) 主分类号 H05B33/00(200601120200601)
代理机构 代理人
主权项 1.一种提升有机发光二极体发光效率之元件结构, 系由一有机发光元件之基板、成长阳极板、主缓 冲层、电洞迁移率抑制层、主发光层、电洞阻挡 层、电子传输层、电子注入层、金属电极,所组合 而成;其特征在于:提升有机发光二极体发光效率 之元件结构设置有电洞迁移率抑制层,该电洞迁移 率抑制层系介于主缓冲层与主发光层之间,且系由 复数个次缓冲层及复数个次发光层交叉排列组合 而成。 2.如申请专利范围第1项所述之元件结构,其中:有 机发光元件之基板可为玻璃、矽基板、塑胶材料 或其他透明基板。 3.如申请专利范围第1项所述之元件结构,其中:成 长阳极板可为indium-tin-oxide(ITO)、indium-zinc-oxide(IZO) 等透明电极。 4.如申请专利范围第1项所述之元件结构,其中:主 发光层与次发光层可为其他有机材料可用于发光 者即可。 5.如申请专利范围第1项所述之元件结构,其中:主 缓冲层与次缓冲层之材料可为使电洞传输速度放 慢者均可。 6.如申请专利范围第1项所述之元件结构,其中:电 洞阻挡层之材料,可为阻挡电洞者均可使用。 7.如申请专利范围第1项所述之元件结构,其中:电 子传输层之材料,可为其他可用于传输电子之有机 材料均可。 图式简单说明: 第一图系本发明提升有机发光二极体发光效率之 元件结构之结构图。 第二图系本发明提升有机发光二极体发光效率之 元件结构之流程图。 第三图系本发明提升有机发光二极体发光效率之 元件结构之实施例结构图。 第四图系本发明提升有机发光二极体发光效率之 元件结构之实施例流程图。 第五图系习知二有机发光二极体之元件结构之结 构图。 第六图系习知二有机发光二极体之元件结构之流 程图。 第七图系习知一有机发光二极体之元件结构之结 构图。 第八图系习知一有机发光二极体之元件结构之流 程图。
地址 高雄县大树乡学城路1段1号