| 主权项 |
1.一种形成有配线图案的装置之制造方法,其特征 为具有: 在基板上的特定之图案形成领域形成储存区之工 程, 和在前述储存区之沟内吐出液滴以形成导电性膜 之工程, 和在前述图案形成领域的外侧吐出液滴,形成与前 述导电性膜电性分离之第2导电性膜之工程。 2.一种形成有配线图案的装置,其特征为具备: 基板, 和形成在前述基板上之储存区, 和藉由液滴吐出而形成在前述储存区间之沟内的 特定图案形成领域之导电性膜, 和配置在前述图案形成领域的外侧,且与前述导电 性膜电性分离,藉由液滴吐出所形成之第2导电性 膜。 3.申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述第2 导电性膜系形成在形成于前述图案形成领域之外 侧的第2储存区之间的沟内。 4.如申请专利范围第3项所记载之装置,其中,前述 储存区和前述第2储存区之至少其中一方,系具有 比个别之间的沟还高的拨液性。 5.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 第2导电性膜系以与前述导电性膜相同的材料所形 成。 6.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 第2导电性膜系以与前述导电性膜略相同的排列, 且连续地形成。 7.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 导电性膜系以相互不同之复数的间距所排列, 前述第2导电性膜系以将前述复数之间距予以平均 之间距所排列。 8.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 第2导电性膜系在前述导电性膜的长度方向,以由 该导电性膜的两端分别突出之长度所形成。 9.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 第2导电性膜的端部系连接端子。 10.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 液滴系包含金属微粒子。 11.如申请专利范围第2项所记载之装置,其中,前述 液滴系包含藉由加热或光照射而产生导电性之材 料。 12.一种光电装置,其特征为具备: 如申请专利范围第2项所记载之装置。 13.一种电子机器,其特征为具备: 如申请专利范围第12项所记载之光电装置。 14.一种主动矩阵基板的制造方法,其特征为:具有, 在基板上形成闸极配线之第1工程, 和在前述闸极配线上形成闸极绝缘膜之第2工程, 和藉由前述闸极绝缘膜而积层半导体层之第3工程 , 和在前述闸极绝缘层上形成源极及汲极之第4工程 , 和在前述源极及前述汲极上配置绝缘材料之第5工 程, 和在配置了前述绝缘材料之上形成画素电极之第6 工程; 在前述第1工程及前述第4工程及前述第6工程之至 少其中一个工程中,系使用如申请专利范围第1项 所记载之装置制造方法。 图式简单说明: 第1图系液滴吐出装置的概略斜视图。 第2图系说明藉由压电方式之液体状的吐出原理用 之图。 第3A图及第3B图系形成图案之基板的平面图。 第4A~第4D图系显示配线图案形成之步骤图。 第5图系显示配线的一部份之放大模型图。 第6A~第6C图系说明被吐出之液体状的举动用之图 。 第7图系显示图案的位置和溶媒蒸气压浓度之关系 图。 第8图系由对向基板侧来看液晶显示装置之平面图 。 第9图系沿着第8图之H-H'线之剖面图。 第10图系液晶显示装置的等效电路图。 第11A图及第11B图系液晶显示装置的部份放大剖面 图。 第12图系有机EL装置之部份放大剖面图。 第13图系说明制造薄膜电晶体之工程用图。 第14图系说明制造薄膜电晶体之工程用图。 第15图系说明制造薄膜电晶体之工程用图。 第16图系说明制造薄膜电晶体之工程用图。 第17图系显示液晶显示装置的另外形态图。 第18图系电浆型显示装置的分解斜视图。 第19图系非接触型卡媒体之分解斜视图。 第20A~第20C图系显示本发明之电子机器的具体例图 。 |
