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1.一种利用湿式蚀刻转移奈米压印图案的方法,包 含以下步骤: 制备基板及氧化层:制备一基板并将基板之一表面 氧化以形成氧化层; 设置阻剂层:在该氧化层上设置阻剂层; 在阻剂层上压印图案:在该阻剂层上压印出图案, 使阻剂层具有第一突出部,以及相对于第一突出部 凹陷的剥落部; 第一次蚀刻:将该基板浸泡在一蚀刻溶液中以进行 第一次蚀刻,该蚀刻溶液破坏阻剂层,以及氧化层 中与该阻剂层之剥落部对应之区域,使该氧化层形 成与阻剂层之第一突出部对应之第二突出部;及 第二次蚀刻:移除基板上与该阻剂层之剥落部对应 的区域,图案即形成于基板上。 2.依据申请专利范围第1项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,其中,该氧化层的厚度为10 ~50nm。 3.依据申请专利范围第1项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,其中,该阻剂层是聚甲基 丙烯酸甲酯所制成之热塑性高分子溶液,并利用旋 镀的方式涂布在基板上。 4.依据申请专利范围第3项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,其中,该阻剂层的厚度为10 ~50nm。 5.依据申请专利范围第1项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,其中,该蚀刻溶液为缓冲 氧化蚀刻液所制成之酸性溶液,且基板浸泡的时间 维持10~40秒。 6.依据申请专利范围第5项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,其中,该第二次蚀刻是将 该基板浸泡在氢氧化钾溶液中,浸泡时间维持40~60 秒,并使温度维持在40~60℃。 7.依据申请专利范围第5项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,其中,该第二次蚀刻是使 用乾式蚀刻。 8.依据申请专利范围第1项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,更包含一项位在第一次蚀 刻及第二次蚀刻之间的将基板浸泡在有机溶液中 以移除残余之阻剂层的步骤。 9.依据申请专利范围第6项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,更包含一项位在第一次蚀 刻及第二次蚀刻之间的将基板浸泡在有机溶液中 以移除残余之阻剂的步骤。 10.依据申请专利范围第9项所述的利用湿式蚀刻转 移奈米压印图案的方法,更包含一项位第二次蚀刻 之后的将基板浸泡在第一次蚀刻所使用的蚀刻溶 液中,以移除残余之氧化层的步骤。 图式简单说明: 图1是一流程图,说明本发明利用湿式蚀刻转移奈 米压印图案的方法之一较佳实施例; 图2是该较佳实施例的各步骤的加工示意图; 图3是一原子力显微镜(AFM)图片,显示该较佳实施例 之PMMA阻剂层在压印后得到的图案; 图4是该PMMA阻剂层蚀刻后残留部分的AFM图片; 图5是该PMMA阻剂层移除后,SiO2氧化层的AFM图片;及 图6是利用本发明之方法而形成图案的一矽基板的 扫描式电子显微镜(SEM)图片。 |
