| 主权项 |
1.一种具有表面微结构的材料之表面处理方法,其 步骤包含: 提供一具有表面微结构的材料,其具有至少一表面 微结构; 进行一自由基氧化乾式处理于该具有表面微结构 的材料;及 以一超临界流体清洁该具有表面微结构的材料表 面。 2.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该具有表面微结构的材 料为二极奈米碳管场发射器或具有多孔性低介电 常数材料薄膜之晶圆。 3.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该表面微结构包含奈米 孔洞或高深宽比微结构。 4.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该自由基氧化乾式处理 系选自一紫外线照射处理、一气态臭氧处理及其 任意组合其中之一。 5.如申请专利范围第4项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该紫外线照射处理之紫 外线波长范围为100奈米至400奈米。 6.如申请专利范围第4项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该气态臭氧处理之臭氧 浓度低于17%。 7.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该自由基氧化乾式处理 的处理时间为30秒至5分钟。 8.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该超临界流体温度范围 介于摄氏40度至80度。 9.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该超临界流体压力范围 介于1000至5000磅/每平方英寸。 10.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该超临界流体接触该具 有表面微结构的材料表面时间为1分钟至60分钟。 11.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该超临界流体包含一惰 性气体超临界流体。 12.如申请专利范围第11项所述之具有表面微结构 的材料之表面处理方法,其中该惰性气体超临界流 体为二氧化碳超临界流体。 13.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该超临界流体包含一修 饰剂,该修饰剂占该超临界流体总组成体积百分率 0.5%至15%。 14.如申请专利范围第1项所述之具有表面微结构的 材料之表面处理方法,其中该修饰剂系选自烯类、 醇类、酮类、二甲基亚枫及其任意组合其中之一 。 15.如申请专利范围第14项所述之具有表面微结构 的材料之表面处理方法,其中该修饰剂系选自碳酸 丙烯、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙酮、二甲基 亚枫及其任意组合其中之一。 图式简单说明: 第1图为本发明较佳实施例之流程图; 第2图为本发明第一实施例之介电常数示意图;及 第3图为本发明第二实施例之操作电场与电流密度 之对应图。 |
