| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具有: 延伸于半导体晶片周围的多数内引线; 支持上述半导体晶片,分别与上述内引线之端部接 合的薄板状绝缘性构件; 连接上述半导体晶片之表面电极和与其对应之上 述内引线的接合用导线; 对上述半导体晶片与上述导线与上述绝缘性构件 施以树脂封装而形成的封装部;及 与上述内引线相连接,由上述封装部露出的多数外 引线; 上述半导体晶片,系搭载于上述绝缘性构件之上述 内引线配置侧之面上, 上述半导体晶片之主面之短边之长度,系前端配置 于半导体装置之平面方向之中心线起最远位置的 内引线之上述前端至上述半导体晶片之间之距离 之2倍以下。 2.一种半导体装置,系具有: 延伸于半导体晶片周围的多数内引线; 支持上述半导体晶片,分别与上述内引线之端部接 合的薄板状绝缘性构件; 连接上述半导体晶片之表面电极和与其对应之上 述内引线的接合用导线; 对上述半导体晶片与上述导线与上述绝缘性构件 施以树脂封装而形成的封装部;及 与上述内引线相连接,由上述封装部露出的多数外 引线; 上述半导体晶片,系搭载于上述绝缘性构件之上述 内引线配置侧之面上, 上述半导体晶片之主面之短边之长度,系前端配置 于半导体装置之平面方向之中心线起最远位置的 内引线之上述前端至上述半导体晶片之间之距离 以上,而且为该距离之2倍以下。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述半导体晶片之上述表面电极之设置间距,系邻 接之上述内引线间之前端之间距之最小値之1/2以 下。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述半导体装置,其封装部之平面尺寸为20mmX20mm以 上,而且上述外引线之数目为176条以上。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系由卷带状基材与接着层构成之 卷带状基板,上述卷带状基材与上述内引线系藉由 上述接着层接合。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系含玻璃之环氧基板,上述含玻 璃之环氧基板与上述内引线系藉由接着层接合。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系陶瓷基板,上述陶瓷基板与上 述内引线系藉由接着层接合。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 于上述绝缘性构件之内引线配置侧之面搭载上述 半导体晶片。 9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 于上述绝缘性构件之内引线配置侧之面之相反侧 之面安装有金属板。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述内引线与上述绝缘性构件藉由接着层接合,上 述半导体晶片之厚度,系大于上述绝缘性构件与上 述接着层之合计之厚度。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件为含玻璃之环氧基板,上述含玻璃 之环氧基板与上述内引线,系藉由具备表里两面配 置有接着层之卷带状基材的两面接着卷带之上述 接着层接合。 12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系含有铝粒子之含玻璃之环氧基 板,上述含玻璃之环氧基板与上述内引线系藉由接 着层接合。 13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 于上述绝缘性构件形成贯通孔,于上述贯通孔埋入 模塑树脂。 14.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述内引线与上述绝缘性构件系藉由接着层接合, 上述接着层系于上述绝缘性构件之内引线配置侧 之面之全面被配置。 15.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 上述内引线与上述绝缘性构件系藉由接着层接合, 上述接着层系仅于上述绝缘性构件之内引线配置 侧之面之引线接合部被配置。 16.一种半导体装置,系具有: 延伸于半导体晶片周围的多数内引线; 支持上述半导体晶片,分别与上述内引线之端部接 合的薄板状绝缘性构件; 接合上述内引线与上述绝缘性构件的接着层; 连接上述半导体晶片之表面电极和与其对应之上 述内引线的接合用导线; 对上述半导体晶片与上述导线与上述绝缘性构件 施以树脂封装而形成的封装部;及 与上述内引线相连接,由上述封装部露出的多数外 引线; 上述半导体晶片,系搭载于上述绝缘性构件之上述 内引线配置侧之面上。 17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述半导体晶片之厚度,系大于上述绝缘性构件与 上述接着层之合计之厚度。 18.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系由卷带状基材与接着层构成之 卷带状基板,上述卷带状基材与上述内引线系藉由 上述接着层接合。 19.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系含玻璃之环氧基板,上述含玻 璃之环氧基板与上述内引线系藉由接着层接合。 20.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件为含玻璃之环氧基板,上述含玻璃 之环氧基板与上述内引线,系藉由具备表里两面配 置有接着层之卷带状基材的两面接着卷带之上述 接着层接合。 21.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述绝缘性构件,系含有铝粒子之含玻璃之环氧基 板,上述含玻璃之环氧基板与上述内引线系藉由接 着层接合。 22.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 于上述绝缘性构件形成贯通孔,于上述贯通孔埋入 模塑树脂。 23.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述接着层系于上述绝缘性构件之内引线配置侧 之面之全面被配置。 24.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中 上述接着层系仅于上述绝缘性构件之内引线配置 侧之面之引线接合部被配置。 25.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,系具备 以下工程: 准备多数之内引线,及分别接合于上述内引线之端 部之同时,可支持半导体晶片的薄板状绝缘性构件 ,及与上述内引线相连接之多数外引线所构成之多 数封装区域排成一列所形成之多数列之引线框架 的工程; 于上述封装区域令上述半导体晶片搭载于上述绝 缘性构件之上述内引线配置侧之面上的工程; 令上述半导体晶片之表面电极和与其对应之上述 内引线藉由导线连接的工程; 令上述半导体晶片、上述导线、及上述绝缘性构 件藉由树脂封装而形成封装部的工程;及 令露出上述封装部之多数外引线由上述引线框架 之框部予以分离的工程。 26.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,系具备 以下工程: 准备多数之内引线,及分别接合于上述内引线之端 部之同时,可支持半导体晶片的薄板状绝缘性构件 ,及与上述内引线相连接之多数外引线所构成之多 数封装区域呈矩阵配置而形成之多连之矩阵框架 的工程; 于上述封装区域令上述半导体晶片搭载于上述绝 缘性构件之上述内引线配置侧之面上的工程; 令上述半导体晶片之表面电极和与其对应之上述 内引线藉由导线连接的工程; 令上述半导体晶片、上述导线、及上述绝缘性构 件藉由树脂封装而形成封装部的工程;及 令露出上述封装部之多数外引线由上述矩阵框架 之框部予以分离的工程。 27.如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方 法,其中 于上述绝缘性构件搭载上述半导体晶片时,系将上 述半导体晶片搭载于上述绝缘性构件之内引线配 置侧之面。 28.如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方 法,其中 于上述绝缘性构件搭载上述半导体晶片时,系将上 述半导体晶片配置、搭载使上述半导体晶片之主 面之短边之长度,成为前端配置于半导体装置之平 面方向之中心线起最远位置的内引线之上述前端 至上述半导体晶片止之距离之2倍以下。 29.如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方 法,其中 使用藉由在上述绝缘性构件之内引线配置侧之面 之全面被配置之接着层而接合上述内引线与上述 绝缘性构件的上述引线框架进行组装。 30.如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方 法,其中 使用藉由仅在上述绝缘性构件之内引线配置侧之 面之引线接合部被配置之接着层而接合上述内引 线与上述绝缘性构件的上述引线框架进行组装。 图式简单说明: 图1(a)、(b)系本发明实施形态1之半导体装置构造 之一例,(a)为断面图,(b)为平面图。 图2系图1之半导体装置中半导体晶片与内引线之 间之距离之一例之部分平面图。 图3系图1之半导体装置中半导体晶片之电极间距 及内引线之引线间间距之一例之扩大部分平面图 。 图4系图1之半导体装置组装使用之矩阵状框架构 造之一例之一部分断面之部分平面图。 图5系图4之A-A'线之断面构造之扩大部分断面图。 图6系使用图4之矩阵状框架之半导体装置之组装 之晶粒接合后之构造之例之一部分断面之部分平 面图。 图7系图6之B-B'线之断面构造之扩大部分断面图。 图8系图7之变形例之晶粒接合后之构造之扩大部 分断面图。 图9系使用图4之矩阵状框架之半导体装置之组装 之导线接合后之构造之例之一部分断面之部分平 面图。 图10系图9之C-C'线之断面构造之扩大部分断面图。 图11系图10之变形例之导线接合后之构造之扩大部 分断面图。 图12系使用图4之矩阵状框架之半导体装置之组装 之树脂封装后之构造之例之一部分断面之部分平 面图。 图13系图12之D-D'线之断面构造之扩大部分断面图 。 图14系图1之半导体装置组装使用之单列引线框架 之框架本体构造之一例之部分平面图。 图15系图14之框架本体安装有绝缘性构件之单列引 线框架之构造之扩大部分平面图。 图16系使用图15之单列引线框架的半导体装置组装 之导线接合后之构造之一例之扩大部分平面图。 图17系使用图15之单列引线框架的半导体装置组装 之树脂封装后之构造之一例之扩大部分平面图。 图18系使用图15之单列引线框架的半导体装置组装 之切断成型后之构造之一例之扩大部分平面图。 图19系图1之半导体装置与其他半导体装置之安装 状态之一例之扩大部分平面图。 图20系图5之变形例之构造之扩大部分断面图。 图21系本发明实施形态之变形例之半导体装置之 构造之断面图。 图22系图21之变形例之半导体装置之详细构造之断 面图。 图23系图21之变形例之半导体装置之详细构造之断 面图。 图24系图21之变形例之半导体装置之详细构造之断 面图。 图25(a)、(b)系本发明实施形态1之变形例之半导体 装置之QFN之构造,(a)为断面图,(b)为底面图。 图26系本发明实施形态2之半导体装置之构造之一 例之断面图。 图27系图26之半导体装置组装使用之引线框架之构 造之一例之部分断面图。 图28系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之部分断面图。 图29系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之部分断面图。 图30系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之部分断面图。 图31系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之部分断面图。 图32系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之部分断面图。 图33系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之部分断面图。 图34系本发明实施形态2之引线框架之绝缘性构件 搭载半导体晶片时之半导体晶片,与绝缘性构件及 接着层之间之厚度关系之一例之部分断面图。 图35系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之扩大部分平面图。 图36系本发明实施形态2之变形例之引线框架之构 造之扩大部分平面图。 |
