| 主权项 |
1.一种可调式光衰减器,包括: 一基材,具有一耦合区域; 一悬臂式光波导结构,跨越该耦合区域而配置于该 基材上;以及 一第一电极,配置于该耦合区域以外之该基材上, 其中该悬臂式光波导结构适于藉由该第一电极的 牵引而与该耦合区域接触。 2.如申请专利范围第1项所述之可调式光衰减器,其 中该基材包括矽基材。 3.如申请专利范围第1项所述之可调式光衰减器,其 中该悬臂式光波导结构包括: 二垫层,分别配置该耦合区域两侧;以及 一导电型光波导,跨越该耦合区域而配置于该些垫 层上,其中该导电型光波导适于藉由该第一电极的 牵引而与该耦合区域接触。 4.如申请专利范围第3项所述之可调式光衰减器,其 中该导电型光波导包括: 一基部,跨越该耦合区域而配置于该些垫层上;以 及 一顶部,跨越该耦合区域而配置于该基部上,且该 顶部的宽度小于该基部的宽度。 5.如申请专利范围第3项所述之可调式光衰减器,其 中该垫层之材质包括氧化矽。 6.如申请专利范围第3项所述之可调式光衰减器,其 中该导电型光波导之材质包括N型掺杂之矽或是P 型掺杂之矽。 7.如申请专利范围第1项所述之可调式光衰减器,其 中该悬臂式光波导结构包括: 二垫层,分别配置该耦合区域两侧; 一光波导,跨越该耦合区域而配置于该些垫层上; 以及 一第二电极,配置于该光波导上,其中该第二电极 适于藉由该第一电极的牵引而使该光波导与该耦 合区域接触。 8.如申请专利范围第7项所述之可调式光衰减器,其 中该光波导包括: 一基部,跨越该耦合区域而配置于该些垫层上;以 及 一顶部,跨越该耦合区域而配置于该基部上,其中 该顶部的宽度小于该基部的宽度,且该第二电极系 配置于该顶部上。 9.如申请专利范围第7项所述之可调式光衰减器,其 中该垫层之材质包括氧化矽。 10.如申请专利范围第7项所述之可调式光衰减器, 其中该光波导之材质包括矽。 11.如申请专利范围第7项所述之可调式光衰减器, 其中该第二电极之材质包括镍/金。 12.如申请专利范围第1项所述之可调式光衰减器, 其中该第一电极包括镍/金电极。 13.一种可调式光衰减器的制造方法,包括: 提供一基材,该基材上已形成有一第一薄膜以及一 位于该第一薄膜上之第二薄膜,其中该基材上具有 一耦合区域; 移除部分该第二薄膜,以于该耦合区域上方之该第 一薄膜上形成一光波导; 移除部分该第一薄膜,以暴露出该耦合区域,并使 该光波导跨越该耦合区域而配置于该第一薄膜上; 以及 于该耦合区域以外之该基材上与该光波导上分别 形成一第一电极与一第二电极。 14.如申请专利范围第13项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该基材包括矽基材。 15.如申请专利范围第13项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该第一薄膜之材质包括氧化矽。 16.如申请专利范围第13项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该第二薄膜之材质包括矽。 17.如申请专利范围第13项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该光波导的形成方法包括: 藉由两道光罩制程以分别形成一基部以及一顶部, 其中该顶部系位于该基部上,而该顶部的宽度小于 该基部的宽度,且该第二电极系配置于该顶部上。 18.如申请专利范围第13项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该光波导的形成方法包括: 藉由一道光罩制程以同时形成一基部以及一顶部, 其中该顶部系位于该基部上,而该顶部的宽度小于 该基部的宽度,且该第二电极系配置于该顶部上。 19.一种可调式光衰减器的制造方法,包括: 提供一基材,该基材上已形成有一第一薄膜以及一 位于该第一薄膜上之导电薄膜,其中该基材上具有 一耦合区域; 移除部分该导电薄膜,以于该耦合区域上方之该第 一薄膜上形成一导电型光波导; 移除部分该第一薄膜,以暴露出该耦合区域,并使 该导电型光波导跨越该耦合区域而配置于该第一 薄膜上;以及 于该耦合区域以外之该基材上形成一第一电极。 20.如申请专利范围第19项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该基材包括矽基材。 21.如申请专利范围第19项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该第一薄膜之材质包括氧化矽。 22.如申请专利范围第19项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该导电薄膜之材质包括N型掺杂 之矽或是P型掺杂之矽。 23.如申请专利范围第19项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该导电型光波导的形成方法包括 : 藉由两道光罩制程以同时形成一基部以及一顶部, 其中该顶部系位于该基部上,而该顶部的宽度小于 该基部的宽度。 24.如申请专利范围第19项所述之可调式光衰减器 的制造方法,其中该导电型光波导的形成方法包括 : 藉由一道光罩制程以同时形成一基部以及一顶部, 其中该顶部系位于该基部上,而该顶部的宽度小于 该基部的宽度。 图式简单说明: 图1至图5绘示为依照本发明之第一实施例可调式 光衰减器的制造流程示意图。 图6A与图6B绘示为图5所示之可调式光衰减器的运 作示意图。 图7至图11绘示为依照本发明之第二实施例可调式 光衰减器的制造流程示意图。 |
