高纯度Ni-V合金、该Ni-V合金构成之靶、该Ni-V合金薄膜及高纯度Ni-V合金之制造方法

摘要

本发明提供一种高纯度Ni-V合金及由该Ni-V合金构成之靶以及该Ni-V合金薄膜，其特征为Ni、V、及气体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上，且铸锭间或靶间或薄膜间之V含量偏差在0.4%以内。所提供之高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金构成之靶及该Ni-V合金薄膜，其铸锭间或靶间或薄膜间之偏差少，可提升溅刻性，且严格地减少会发射α粒子而对半导体装置之微细电路有不良影响之U、Th等放射性同位素，并具99.9wt%以上纯度，并提供可有效减少前述杂质之高纯度Ni-V合金之制造方法。

主权项

1.一种高纯度Ni-V合金,其特征为,Ni、V、及气体成 分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上,Cr、Al、Mg各 杂质含量分别为10ppm以下,且铸锭间或靶间或薄膜 间之V含量偏差在0.4%以内。 2.如申请专利范围第1项之高纯度Ni-V合金,其所含 之U、Th各杂质含量分别为未满1ppb,Pb、Bi各杂质含 量分别为未满0.1ppm。 3.一种高纯度Ni-V合金,其特征为,Ni、V、及气体成 分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上,又U、Th各杂 质含量分别为未满1ppb,Pb、Bi各杂质含量分别为未 满0.1ppm,且铸锭间或靶间或薄膜间之V含量偏差在0. 4%以内。 4.如申请专利范围第1项之高纯度Ni-V合金,其中,杂 质N之含量为1-100wtppm。 5.如申请专利范围第3项之高纯度Ni-V合金,其中,杂 质N之含量为1-100wtppm。 6.一种由高纯度Ni-V合金所构成之靶,其特征为,Ni、 V、及气体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9 wt%以上 ,Cr、Al、Mg各杂质含量则分别为10ppm以下,且合金锭 铸间或靶间或薄膜间之V含量偏差在0.4%以内。 7.如申请专利范围第6项之由高纯度Ni-V合金所构成 之靶,其所含之U、Th各杂质含量分别为未满1ppb,Pb 、Bi各杂质含量分别为未满0.1ppm。 8.一种由高纯度Ni-V合金所构成之靶,其特征为,Ni、 V、及气体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9 wt%以上 ,又U、Th各杂质含量分别为未满1ppb,Pb、Bi各杂质含 量分别为未满0.1ppm,且铸锭间或靶间或薄膜间之V 含量偏差在0.4%以内。 9.如申请专利范围第6项之由高纯度Ni-V合金所构成 之靶,其中,杂质N之含量为1-100wtppm。 10.如申请专利范围第8项之由高纯度Ni-V合金所构 成之靶,其中,杂质N之含量为1-100wtppm。 11.一种高纯度Ni-V合金薄膜,其特征为,Ni、V、及气 体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上,Cr、Al、 Mg各杂质含量分别为10ppm以下,且合金铸锭间或靶 间或薄膜间之V含量偏差在0.4%以内。 12.如申请专利范围第11项之高纯度Ni-V合金薄膜,其 所含之U、Th各杂质含量分别为未满1ppb,Pb、Bi各杂 质含量分别为未满0.1ppm。 13.一种高纯度Ni-V合金薄膜,其特征为,Ni、V、及气 体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上,又U、Th 各杂质含量分别为未满1ppb,Pb、Bi各杂质含量分别 为未满0.1ppm,且合金铸锭间或靶间或薄膜间之V含 量偏差在0.4%以内。 14.如申请专利范围第11项之高纯度Ni-V合金薄膜,其 中,杂质N之含量为1-100wtppm。 15.如申请专利范围第13项之高纯度Ni-V合金薄膜,其 中,杂质N之含量为1-100wtppm。 图式简单说明: 图1,系显示高纯度Ni-V合金之制造流程图。