发明名称 放大器系统及其放大器结购
摘要 一种放大器系统之放大器结构,其包含一电压源、一第一放大单元以及一第二放大单元。第一放大单元耦接于电压源,用以根据一偏置电流以及一参考电流,将一第一输入讯号以及一第二输入讯号进行增益放大,产生一第一放大讯号。第二放大单元耦接于第一放大单元以及电压源,用以根据偏置电流以及参考电流,将该第一输入讯号以及该第二输入讯号进行增益放大,产生一第二放大讯号;其中根据该第一放大讯号及该第二放大讯号,产生一输出讯号。
申请公布号 TWM324922 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096205925 申请日期 2007.04.13
申请人 普诚科技股份有限公司 发明人 高鹏丰
分类号 H03F3/18(200601120200601) 主分类号 H03F3/18(200601120200601)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种放大器系统之放大器结构,其包含: 一电压源; 一第一放大单元,耦接于该电压源,用以根据一偏 置电流以及一参考电流,将一第一输入讯号以及一 第二输入讯号进行增益放大,产生一第一放大讯号 ;以及 一第二放大单元,耦接于该第一放大单元以及该电 压源,用以根据该偏置电流以及该参考电流,将该 第一输入讯号以及该第二输入讯号进行增益放大, 产生一第二放大讯号; 其中,根据该第一放大讯号及该第二放大讯号,产 生一输出讯号。 2.如请求项1所述之放大器结构,其中该第一放大单 元包含: 一第一第一电晶体,其源极耦接于该电压源,其闸 极用以接收该偏置电流; 一第一第二电晶体,其源极耦接于该第一第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第一输入讯号; 一第一第三电晶体,其源极耦接于该第一第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第二输入讯号; 一第一第四电晶体,其汲极耦接于该第一第二电晶 体之汲极; 一第一第五电晶体,其汲极耦接于该第一第三电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第一第四电晶体之闸极 ; 一第一第六电晶体,其汲极耦接于该第一第四电晶 体之汲极,其源极系耦接于一接地端; 一第一第七电晶体,其汲极耦接于该第一第五电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第一第六电晶体之闸极 ,其源极系耦接于该接地端;以及 一第一输出端,耦接于该第一第三电晶体之汲极以 及该第一第五电晶体之汲极之间,用以输出该第一 放大讯号。 3.如请求项2所述之放大器结构,其中该第二放大单 元包含: 一第二第一电晶体,其源极耦接于该电压源,其闸 极耦接于该第一第一电晶体之闸极; 一第二第二电晶体,其源极耦接于该第二第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第二输入讯号; 一第二第三电晶体,其源极耦接于该第二第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第一输入讯号; 一第二第四电晶体,其汲极耦接于该第二第二电晶 体之汲极; 一第二第五电晶体,其汲极耦接于该第二第三电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第二第四电晶体之闸极 ; 一第二第六电晶体,其汲极耦接于该第二第四电晶 体之汲极,其源极系耦接于该接地端; 一第二第七电晶体,其汲极耦接于该第二第五电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第二第六电晶体之闸极 ,其源极系耦接于该接地端;以及 一第二输出端,耦接于该第二第三电晶体之汲极以 及该第二第五电晶体之汲极之间,用以输出该第二 放大讯号。 4.如请求项2所述之放大器结构,其中该第一放大单 元另包含一第一开关,其一端耦接于该第一第二电 晶体之汲极以及该第一第四电晶体之汲极之间,其 另一端耦接于该接地端,用以根据一第一控制讯号 选择性的导通及断路。 5.如请求项3所述之放大器结构,其中该第二放大单 元另包含一第二开关,其一端耦接于该第二第二电 晶体之汲极以及该第二第四电晶体之汲极之间,其 另一端耦接于该接地端,用以根据一第一控制讯号 选择性的导通及断路。 6.如请求项3所述之放大器结构,其中该第一第一电 晶体、第一第二电晶体、第一第三电晶体、第二 第一电晶体、第二第二电晶体、第二第三电晶体 系为PMOS电晶体,而该第一第四电晶体、第一第五 电晶体、第一第六电晶体、第一第七电晶体、第 二第四电晶体、第二第五电晶体、第二第六电晶 体、第二第七电晶体系为NMOS电晶体。 7.一种放大器系统,其包含: 一电压源; 一偏压模组,耦接于该电压源,用以提供一偏置电 流以及一参考电流; 一第一放大单元,耦接于该偏压模组以及该电压源 ,用以根据该偏置电流以及该参考电流,将一第一 输入讯号以及一第二输入讯号进行增益放大,产生 一第一放大讯号; 一第二放大单元,耦接于该偏压模组、该电压源以 及该第一放大单元,用以根据该偏置电流以及该参 考电流,将该第一输入讯号以及该第二输入讯号进 行增益放大,产生一第二放大讯号;以及 一输出模组,耦接于该第一放大单元、该第二放大 单元以及该电压源,用以接收该第一放大讯号以及 该第二放大讯号,产生一输出讯号。 8.如请求项7所述之放大器系统,其中该第一放大单 元包含: 一第一第一电晶体,其源极耦接于该电压源,其闸 极用以接收该偏置电流; 一第一第二电晶体,其源极耦接于该第一第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第一输入讯号; 一第一第三电晶体,其源极耦接于该第一第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第二输入讯号; 一第一第四电晶体,其汲极耦接于该第一第二电晶 体之汲极; 一第一第五电晶体,其汲极耦接于该第一第三电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第一第四电晶体之闸极 ; 一第一第六电晶体,其汲极耦接于该第一第四电晶 体之汲极,其源极系耦接于一接地端; 一第一第七电晶体,其汲极耦接于该第一第五电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第一第六电晶体之闸极 ,其源极系耦接于该接地端;以及 一第一输出端,耦接于该第一第三电晶体之汲极以 及该第一第五电晶体之汲极之间,用以输出该第一 放大讯号。 9.如请求项8所述之放大器系统,其中该第一放大单 元另包含一第一开关,其一端耦接于该第一第二电 晶体之汲极以及该第一第四电晶体之汲极之间,其 另一端耦接于该接地端,用以根据一第一控制讯号 选择性的导通及断路。 10.如请求项8所述之放大器系统,其中该第二放大 单元包含: 一第二第一电晶体,其源极耦接于该电压源,其闸 极耦接于该第一第一电晶体之闸极; 一第二第二电晶体,其源极耦接于该第二第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第二输入讯号; 一第二第三电晶体,其源极耦接于该第二第一电晶 体之汲极,其闸极耦系用以接收该第一输入讯号; 一第二第四电晶体,其汲极耦接于该第二第二电晶 体之汲极; 一第二第五电晶体,其汲极耦接于该第二第三电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第二第四电晶体之闸极 ; 一第二第六电晶体,其汲极耦接于该第二第四电晶 体之汲极,其源极系耦接于该接地端; 一第二第七电晶体,其汲极耦接于该第二第五电晶 体之汲极,其闸极耦接于该第二第六电晶体之闸极 ,其源极系耦接于该接地端;以及 一第二输出端,耦接于该第二第三电晶体之汲极以 及该第二第五电晶体之汲极之间,用以输出该第二 放大讯号。 11.如请求项10所述之放大器系统,其中该第一第一 电晶体、第一第二电晶体、第一第三电晶体、第 二第一电晶体、第二第二电晶体、第二第三电晶 体系为PMOS电晶体,而该第一第四电晶体、第一第 五电晶体、第一第六电晶体、第一第七电晶体、 第二第四电晶体、第二第五电晶体、第二第六电 晶体、第二第七电晶体系为NMOS电晶体。 12.如请求项10所述之放大器系统,其中该第二放大 单元另包含一第二开关,其一端耦接于该第二第二 电晶体之汲极以及该第二第四电晶体之汲极之间, 其另一端耦接于该接地端,用以根据一第一控制讯 号选择性的导通及断路。 13.如请求项7所述之放大器系统,其中该放大器系 统另包含一第三开关,耦接于该电压源以及该偏置 电流之间,用以根据一第一放大讯号选择性的导通 及断路。 14.如请求项10所述之放大器系统,其中该放大器系 统另包含一补偿模组,耦接于该第一放大单元、该 第二放大单元及该输出模组之间,用以对该第一放 大讯号以及该第二放大讯号进行相位补偿。 15.如请求项14所述之放大器系统,其中该补偿模组 系包含: 一第一补偿单元,耦接于该第一输出端以及该输出 模组间,用以对该第一放大讯号进行相位补偿;以 及 一第二补偿单元,耦接于该第二输出端以及该输出 模组间,用以对该第二放大讯号进行相位补偿。 16.如请求项15所述之放大器系统,其中该第一补偿 单元及第二补偿单元系分别由一电阻以及一电容 串联而成。 17.如请求项7所述之放大器系统,其中该输出模组 系为一双端转单端放大器。 图式简单说明: 第1图为本创作之放大器系统之放大器结构之示意 图。 第2图为本创作之放大器系统之示意图。
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