| 摘要 |
在知的半导体装置中，由于构成分离区域之P型埋设扩散层的横方向扩散宽度扩展等，而有难以得到所希望的耐压特性之问题。在本发明的半导体装置中，于P型单结晶矽基板6上形成有2层磊晶层7、8，而磊晶层8之杂质浓度系比磊晶层7之杂质浓度更高。磊晶层7、8系藉由分离区域3、4、5区分为复数个元件形成区域，而于元件形成区域之1个区域系形成有NPN电晶1。于NPN电晶体1之使用作为基极区域之P型扩散层12与P型分离区域3之间系形成有N型扩散层14。利用此构造，基极区域－分离区域间变得不易短路，而可提高NPN电晶体1的耐压特性。 |
