一种具有表面硫化披覆结构之异质结构场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明揭示一种具有表面硫化披覆结构之异质结构场效电晶体及其制造方法，其结构包括：一半导体基板、一位于该基板表面之缓冲层、一位于该缓冲层上之主动层、一位于该主动层上之萧特基接触层、一位于该萧特基接触层上之欧姆接触层、一位于该萧特基接触层与欧姆接触层表面裸露区域上之硫化保护层、一位于该欧姆接触层上之汲－源极金属电极层及一位于与该萧特基接触层接触之硫化保护层上之闸极金属电极层。根据本发明技术，可以有效解决载子遭受到界面陷阱的捕捉，而间接影响到萧特基接面的特性，使元件的直流与微波特性呈现良好。