半导体层、形成半导体之制程以及半导体发光装置

摘要

一种含有 Ⅲ－Ⅴ族半导体化合物作为构成之半导体层，其可由一般式子表示：A1xGayINzN，其中在x+y+z=1的条件下，x 代表满足情况 0≦x＜1之数字，y 代表满足情况 0＜y＜1之数字，z 代表满足情况 0＜z＜1之数字。此半导体层利用雷射辅助有机金属气相磊晶技术形成。一种半导体发光元件，包含半导体层并可被构成作为半导体雷射或发光二极体。