用于半导体制程装置之低污染元件及制造该元件之方法

摘要

本发明揭示一种于半导体制程装置之低污染元件及制造该元件之方法。半导体制程装置的元件系由部份侵蚀、部份腐蚀、及／或控侵蚀-腐蚀的陶瓷材料所形成。范例性的陶瓷材料可包含至少铪、锶的氧化物、氮化物、硼化物、碳化物、及／或氟化物中至少一种、氧化镧及／或镝。该等陶瓷材料可应用作为基板之上的被覆来形成复合元件，或形成到单石体中。该等被覆可保护基板防止物理性及／或化学性攻击。该等陶瓷材料可用来形成半导体制程装置的电浆暴露元件，以提供延长的使用寿命。