发明名称 | 热绝缘相转换记忆元件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明系揭露一种热绝缘记忆元件其包括有一记忆细胞,此记忆细胞包括复数个电极其间带有一介层窗、一热绝缘体位于此介层窗中并界定一空洞延伸于电极表面之间。一种如一相转换材料等之记忆材料,系位于此空洞中并电耦接至这些电极以生成一记忆材料元素。此热绝缘体可帮助降低操作此记忆材料元素所需要之电能。一电极可接触至一栓塞之外表面,以填埔任何如孔洞型瑕疵等位于栓塞表面之不平整处。本发明同时揭露一种用以制造此元件并填补栓塞表面不平整处之方法。 | ||
申请公布号 | TW200802804 | 申请公布日期 | 2008.01.01 |
申请号 | TW095141953 | 申请日期 | 2006.11.13 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |