改良式SOI基板和SOI装置,与其形成方法IMPROVED SOI SUBSTRATES AND SOI DEVICES, AND METHODS FOR FORMING THE SAME

摘要

本案提供一种改良式绝缘层体上半导体（SOI）基板，其含有不同深度的图案化埋式绝缘层。明确地说，SOI基板具有实质平坦上表面且包含：（1）未含有任何埋式绝缘体的第一区域，（2）于第一深度（即自SOI基板的平坦上表面测量）含有图案化埋式绝缘层之第一部分的第二区域，及（3）于第二深度含有图案化埋式绝缘层之第二部分的第三区域，其中第一深度大于第二深度。可在SOI基板中形成一或多个场效电晶体（FETs）。举例而言，FETs可包含：在SOI基板之第一区域中的通道区域、在SOI基板之第二区域的源极及汲极区域、及在SOI基板之第三区域中的源极／汲极延伸区域。