阻挡铜扩散之障碍层复合材料

摘要

本发明关于铜扩散障碍层复合材料或具有该材料之装置，系由Ta与Pt所组成，Pt之掺杂量约在35原子数（at.）％以下，且于500℃以上之高温下，该材料仍可维持非结晶之特性而可阻挡铜原子扩散并具有与Ta等同低之电阻系数。本发明之制法，包括TaPt合金材料之选取步骤，及进行该障碍层之沉积步骤，使该合金材料于一蒸镀系统中，形成于Cu导电层与预定之隔离物之间，该预定之隔离物，可为一矽基板，或半导体装置之闸极，或多重导线之电极等装置其中之一。