发明名称 具有沟槽电荷补偿区的半导体装置及方法
摘要 在一个实施例中,半导体装置成形为具有电荷补偿沟槽,该电荷补偿沟槽邻近该装置的通道区。电荷补偿沟槽包括至少两相反导电类型的半导体层。通道连接区将通道区电连接到至少两相反导电类型的半导体层的其中之一。
申请公布号 TW200802691 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096115740 申请日期 2007.05.03
申请人 半导体组件工业公司 发明人 杜尚晖;高登M 葛利夫纳
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国