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发明名称 植氧分离(SIMOX)晶圆之制造方法
摘要 一种SIMOX（植氧分离）晶圆系经由将氧离子植入矽基底的表面并接着实施高温退火而制造，其中至少于该高温退火处理的结束阶段中气体为包含3体积％以上但不超过10体积％之氧的Ar或N2气体
申请公布号 TW200802689 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096110634 申请日期 2007.03.27
申请人 上睦可股份有限公司 发明人 村上义男;笠松隆亮;青木嘉郎
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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