沈积相变记忆体之硫属化合物膜的方法

摘要

提供一种沈积相变记忆体之硫属化合物膜的方法。当经由诸如电浆增强化学气相沈积（PECVD）或电浆增强原子层沈积（PEALD）的使用电浆之方法来沈积相变记忆体之硫属化合物膜时，使用包括氦(He)之电浆反应气体，以调整硫属化合物膜之结晶性，并调整沈积膜的晶粒大小以及形态。