发明名称 奈米碳管膜之生长装置及方法
摘要 本发明涉及一种奈米碳管膜之生长装置,其包括一反应室及一基底,该基底呈弯曲状设置于反应室内。本发明同时提供一种利用上述装置生长奈米碳管膜之方法。本发明所提供之奈米碳管膜之生长技术,与先前技术相比,采用弯曲状基底作为奈米碳管膜生长之载体,使得一定容量空间之反应室内可容纳更大面积之基底,从而实现奈米碳管膜于较小反应室内之大面积生长,如此可降低大面积制备奈米碳管膜所需设备之成本。
申请公布号 TW200801224 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW095121708 申请日期 2006.06.16
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 刘长洪;范守善
分类号 C23C16/26(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 C23C16/26(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号