发明名称 | 奈米碳管膜之生长装置及方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种奈米碳管膜之生长装置,其包括一反应室及一基底,该基底呈弯曲状设置于反应室内。本发明同时提供一种利用上述装置生长奈米碳管膜之方法。本发明所提供之奈米碳管膜之生长技术,与先前技术相比,采用弯曲状基底作为奈米碳管膜生长之载体,使得一定容量空间之反应室内可容纳更大面积之基底,从而实现奈米碳管膜于较小反应室内之大面积生长,如此可降低大面积制备奈米碳管膜所需设备之成本。 | ||
申请公布号 | TW200801224 | 申请公布日期 | 2008.01.01 |
申请号 | TW095121708 | 申请日期 | 2006.06.16 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 刘长洪;范守善 |
分类号 | C23C16/26(2006.01);C23C16/455(2006.01) | 主分类号 | C23C16/26(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |