相变化记忆体材料之低温沉积

摘要

本发明揭露一种用于在一基材上形成相变化记忆体材料之系统及方法，其中将基材与相变化记忆体硫属化合物合金（chalcogenide alloy）之前驱物于一可产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于 350℃的温度，且此接触步骤藉由化学气相沉积或原子层沉积来进行。本发明亦描述多种可用于在基材上形成 GST（锗-锑-碲；Ge-Sb-Te) 相变化记忆体膜的碲、锗及锗-碲前驱物。