使用奈米结构缓冲层和氢化物气相沉积(HVPE)来制造高品质化合物半导体材料的成长方法

摘要

一种利用HVPE法而使用奈米结构顺应层在异质基材上生长高品质之平且厚的化合物半导体之方法。半导体材料的奈米结构能被以分子束磊晶（MBE）、化学蒸气沈积（CVD）。金属有机物化学蒸气沈积（MOCVD），及氢化物气相磊晶（HVPE）来生长在异质基材上。连续的化合物半导体厚膜或晶圆之进一步生长系可藉使用HVPE的磊晶横向超生长来达成。