| 摘要 |
本发明揭示一种具有一第一半导体晶片（101）之装置，该晶片具有内部第一组（102）及周边第二组（103）接触焊垫。诸如金之非回焊金属之变形球体（104）置放于第一及第二组中之每一接触焊垫上。至少一额外变形球体（105）置放于第一组焊垫上以形成柱状间隔物。第一晶片附着至基板（110），该基板具有一晶片附着位置及接近该位置处之第三组接触焊垫（112）。低轮廓结合导线（130）跨越于第三组与第二组焊垫之间。具有一大小之第二半导体晶片（140）在匹配第一组焊垫之位置处具有第四组接触焊垫（141）。第二晶片置放于第一晶片上，使得第四组焊垫与匹配之第一组焊垫上的间隔物对准，且第二晶片之至少一边缘悬垂于第二组中之至少一焊垫上之球体上。回焊金属（142）将间隔物结合至第二晶片，同时间隔物使第一与第二晶片以足够宽以可将导线跨度置放至第二组焊垫之间隙（105a）隔开。 |
