用于藉由使汲极及源极区凹陷而于电晶体中紧邻通道区提供应力源之技术

摘要

藉由使场效电晶体的汲极及源极区凹陷，可在凹处中形成高应力层（例如，接触蚀刻中止层）以便增进于邻近通道区中的应变产生。此外，藉由减少或避免金属矽化物之不当的松弛效应（relaxation effect），可使应变半导体材料位在紧邻通道区，从而也提供增进的应变产生效率。在一些态样中，可组合两种效果以得到甚至更有效率的应变引发机构。