半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括由多晶矽膜所形成之高度精确的电阻器，其中：变成电阻区之基底绝缘膜在该多晶矽膜的部份之下的剖份形成为凸状；以及变成该电阻器的多晶矽膜系选择性地形成为薄膜，同时电极导出区维持为厚的，以在防止穿透供接触之开口的同时，获得具有高精确性、高电阻率、与较佳温度系数的电阻器。