发明名称 |
具有低电阻共同源极及高电流可驱动性之记忆体单元阵列 |
摘要 |
在本发明之电阻式记忆体阵列中,包含的有基板、于该基板中的复数个源极区域、以及连接该复数个源极区域之导体,该导体系定位在相邻于该基板,以与复数个源极区域一起形成共同源极。在一实施例中,该导体系具有T形剖面之狭长金属体(elongated metal body)(378)。在另一实施例中,该导体系碟状(plate-like)金属体(766)。 |
申请公布号 |
TW200802726 |
申请公布日期 |
2008.01.01 |
申请号 |
TW096114361 |
申请日期 |
2007.04.24 |
申请人 |
史班逊有限公司 |
发明人 |
田口真男 |
分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
美国 |