发明名称 具有低电阻共同源极及高电流可驱动性之记忆体单元阵列
摘要 在本发明之电阻式记忆体阵列中,包含的有基板、于该基板中的复数个源极区域、以及连接该复数个源极区域之导体,该导体系定位在相邻于该基板,以与复数个源极区域一起形成共同源极。在一实施例中,该导体系具有T形剖面之狭长金属体(elongated metal body)(378)。在另一实施例中,该导体系碟状(plate-like)金属体(766)。
申请公布号 TW200802726 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096114361 申请日期 2007.04.24
申请人 史班逊有限公司 发明人 田口真男
分类号 H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国