| 摘要 |
本发明揭示一种较佳用于绝缘体上半导体（SOI）晶圆（101）之半导体制造制程。晶圆之作用层（106）受到双轴应变且具有第一区域（110－1）及第二区域（110－2）。第二区域（110－2）经非晶化以改变其应变分量。晶圆经退火以使非晶半导体再结晶。分别在第一区域及第二区域中制造第一及第二类型之电晶体（150－1、150－2）。作用层之第三区域（110－3）及可能的第四区域（110－4）可经处理以改变其应变特性。牺牲应变结构（130）可形成于第三区域上。应变结构可为压缩性的。当藉由处于适当位置之应变结构退火该晶圆时，其应变特性可镜射于第三作用层区域（110－3）中。第四作用层区域（110－4）可非晶化为在平行于电晶体应变之宽度方向上行进之条带以在宽度方向上产生单轴应力。 |
