垂直通道电晶体及包含垂直通道电晶体之记忆体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其包括：一ＮＭＯＳ垂直通道电晶体，其位于一基板上并包括一包围一垂直ｐ-通道区之ｐ+多晶矽闸电极；及一ＰＭＯＳ垂直通道电晶体，其位于该基板上并包括一包围一垂直ｎ-通道区之ｎ﹢多晶矽闸电极。该等ＮＭＯＳ及ＰＭＯＳ垂直通道电晶体视需要可在一ＣＭＯＳ运作模式中运作。